Купить утеплитель в Киеве и Борисполе
Базальтовая вата для теплиц / Гидропоника

Базальтовая вата для теплиц /

Выращивание огурцов на минеральной вате

Семена огурцов высевают в небольшие рассадные кубики, и после прорастания кубики переставляют в более крупные блоки, либо проводят прямой посев в 7,5 см или 10 см кубики. Обычная производственная практика состоит в проращивании семян огурца в лотках с вермикулитом и пикировкой в блоки, либо прямым посевом в блоки для летней/второй культуры. Блоки необходимо расставлять для предотвращения взаимозатенения листьев растений. Проращивание проводят при относительно низкой ЕС питательного раствора (1,5 мСм/см), в последующем ЕС медленно повышают по мере роста растений. Выращивание в блоках, имеющих снизу дренажные желобки, является идеальным для огурцов, поскольку растения обычно чувствительны к избытку влаги в субстрате. Блоки устанавливают с ориентацией желобков в том же направлении, что и общий уклон гряды в теплице, и эта ориентация должна сохраняться при перестановке блоков на гряды. Если блоки с желобками не употребляются, важно, чтобы блоки размещались на слое перлита или аналогичного рыхлого материала для предотвращения образования водоупора листом полиэтиленовой пленки. Тонкая корневая система огурцов меньше подходит для желобов, где получается относительно высокое отношение воды к воздуху, но при промышленных урожаях 150 огурцов/м2 становится понятным, что они могут хорошо справляться при использовании любых доступных материалов, включая минераловатные плиты низкой плотности, если последние хорошо приготовлены.
Температура субстрата при проращивании должна быть постоянно не менее 200, желательно 21-220. Для этого используют отопительные трубы под стеллажом или трубы, размещаемые для подачи максимального тепла непосредственно минераловатным плитам. Температура поливной воды также важна на этой стадии, потому что подаваемый в блоки объем больше по сравнению с термальным объемом. Поливная вода должна нагреваться минимально до 18° или достигать температуры воздуха в теплице до поступления к растениям.

Огурцы обычно выращивают на стандартных минераловатных плитах при плотности посадки 2 растения на плиту. При выращивании в теплице плотность посадки составляет 1,4-1,5 раст.|/м2, что составляет объем субстрата не менее 10 л/м2, желательно немного больше. Некоторые схемы выращивания предусматривают 2-3 культуры огурца в год, и в этом случае плотность ранней культуры составляет 1,5 раст./м2 и в осенний период — 1-2 раст./м2 для получения плодов более высокого качества.

При выращивании можно использовать стандартные плиты глубиной 7,5 см, шириной — 20-25 см с минеральной ватой низкой или высокой плотности в зависимости от намерения их вторичного использования. Согласно опытам, проведенным в Голландии несколько лет назад плиты высотой 7,5 см давали такой же урожай огурцов высокого качества в продленной культуре, как и плиты высотой 15 см, которые ранее были более популярны. В тех же опытах было подтверждено, что плотность минеральной ваты не имеет большого значения.

Растения обычно выращивают в два ряда с расстоянием между растениями в ряду 40-50 см. Также можно выращивать при загущении вдвое в 1 ряд с разведением растений по U-образной системе. При этом в обоих случаях объем минеральной ваты для каждого растения должен быть одинаков.
Огурцы хорошо отзывчивы на утепление корневой зоны. Оптимальная температура субстрата составляет 21-23°.
Полив. Перед посадкой рассады плиты нагревают до 20°. Плиты располагают по возможности ближе к трубам отопления, но не касаясь их. Также важно использовать теплую воду для поливов в первые 2 недели после посадки: пока корни не прорастут в плиты, подаваемый объем воды не достаточен для оказания влияния на температуру плит, но холодная вода может вызвать резкое охлаждение небольших зон субстрата. Этого нужно избегать, особенно в солнечные дни, когда трубы обогрева холоднее и подаваемый объем воды больше. В таких условиях в корневой зоне температура может упасть до уровней, вызывающих повреждение корневых волосков и позволяющих развиваться грибным болезням (Pythium).
Рассадные кубики должны плотно устанавливаться на плиты, и капельницы должны осуществлять полив через кубики. В первый период полив проводят достаточно часто, чтобы быть уверенными, что объем плиты под кубиками достаточно влажный, и прорастание корней происходит нормально. После укоренения растений полив проводят по мере необходимости. В пасмурные дни избыточный объем воды, который используется для дренажа, необходимо ограничивать до 5% от внесенного объема. И большую часть потребности в воде необходимо удовлетворять в начале дня. В солнечные дни объем дренажа увеличивают до 15-20% и поливной объем распределяют в течение всего дня, с последним поливом за час до захода солнца.
Если пасмурная погода сохраняется несколько дней, то существует риск возрастания ЕС в плите, особенно в связи с накоплением хлоридов и сульфатов. В этом случае необходимо дать единовременный повышенный полив питательным раствором в начале дня при пониженной ЕС раствора для того, чтобы вымыть эти соли.

Питание Точная программа по питанию огурца учитывает потребность в поглощении калия в течение всего периода выращивания на основе большого количества наблюдений в промышленной культуре. Соотношение К:Са должно быть близким 2:1 в течение всего сезона в отличие от ранее принятых рекомендаций для огурца на минеральной вате, где рекомендовалось поддерживать уровень К в течении сборов не менее 40%. В последних рекомендациях соотношение К:Са питательного раствора составляет 1,5:1 в период до одной недели до сборов и затем 2:1 до конца сезона. В летней культуре необходимо повышенное внесение кальция в период до первого сбора.
Электроприводность и рН раствора. Электропроводность вносимого раствора должна учитывать время года, условия выращивания и стадию роста. Для наиболее ранних культур на севере Европы до середины января необходимо иметь ЕС 3,0 мСм/см до начала первого сбора, понижая до 2,8 мСм/см, пока не будут убраны все плоды с главного стебля, затем понижая до 2,0 мСм/см до конца года. При поздних посадках начинать следует с величины 2,5 мСм/см, снижая до 2,0 мСм/см в течение сезона. Эти значения требуют хорошего качества используемой воды. Если вода содержит высокие значения натрия, все указанные показания ЕС необходимо увеличить на 0,3-0,5 мСм/см. При этом величина питательного раствора в плитах не должна повышаться более 3,0 мСм/см, поскольку нежелательна какая-либо потеря мощности растения, и опыт Голландии показывает, что при данных значениях ЕС окраска плодов и качество должны быть выше. В Великобритании большинство фермеров предпочитают поддерживать в летний период в плитах ЕС 2,5-3,0 мСм/см, и эта точка зрения поддерживается исследованиями в Канаде, где было показано, что общее повышение урожайности повышается при относительно низких уровнях ЕС летом, вплоть до 2,2 мСм/см без достоверного снижения качества плодов. Повышение электропроводности в плитах до 3,5-4,0 мСм/см может иметь смысл к концу культуры при поздних сроках выращивания для улучшения качества плодов при ухудшающихся условиях роста. ЕС питательного раствора может немного меняться в период сборов для того, чтобы учесть мощность роста и баланс культуры. Например, поздние посадки, которые имеют высокую нагрузку плодов на главном стебле, будут иметь преимущества при высоких концентрациях и более высоком снабжении калием. Это особенно важно для огурцов во избежание внезапного понижения снабжения калием на любой стадии. Если растениям доступно большее количество калия чем нужно, механизм его поглощения будет подавляться для предотвращения избыточного поступления калия в растение. Относительно быстрое снижение в доступном калии может привести к его недостаточности, пока растения не будут в состоянии вернуться к нормальному поглощению. Недостаток К на огурце можно определить по бледной кайме на молодых листьях, с дальнейшим покоричневением кончиков листьев при усугублении проблемы.
Культура огурца может выдержать некоторые изменения рН питательного раствора в субстрате. Необходимо поддерживать рН 5,5-6 в корневой зоне. В зимний период, когда рост листьев не сбалансирован развитием плодов, могут наблюдаться тенденции в повышении рН в субстрате. Это происходит потому, что растения поглощают много нитратного азота и при внесении его добавочного количества с раствором в плиту вносятся бикарбонаты, повышающие щелочную и буферную емкости раствора. Этого можно избежать, поддерживая рН раствора ниже 5 при уверенности, что плиты будут постоянно промываться, и в случае необходимости будет добавлен аммиачный азот.

Контроль питания На культуре огурца очень важно производить отбор выжимки из минераловатной плиты из зоны с активной корневой системой. Иногда можно наблюдать большую разницу между выжимкой из мест с активными корнями и без них по величине рН, ЕС и уровням элементов питания. Это происходит вследствие быстрого поглощения некоторых элементов, особенно К, когда идет массовый налив плодов. Образец, взятый из глубины корневой зоны, в этой стадии показывает гораздо более низкие величины ЕС, чем от места, близкого к капельнице. Такая разница показывает на период, требующий усиленного питания, однако это происходит в том случае, если образец взят из корневой зоны. Необходимо отбирать образцы примерно на половине расстояния между капельницей и растением, но ближе к растениям.
В отличие от томатов, огурцы не переносят высокий уровень натрия и хлоридов, т.о. эти элементы не должны применяться при подкормках. Поливная вода для огурцов должны содержать не более 50 мг/л Nа, и даже при этих уровнях, особенно в рециркуляционных системах, необходим тщательный мониторинг.
Огурцы требуют особых доз меди, чем большинство других культур. Если содержание меди в субстрате слишком низкое, то возникают проблемы с качеством плодов с поверхностью и окрашиванием, и общий урожай также снижается. Огурцы также чувствительны к уровням бора и молибдена, особенно в начале года. Признаки токсичности бора быстро проявляются, если его содержание в плите слишком высокое.
Уровни кремния. По некоторым данным огурцы, как и розы, отзывчивы на внесение кремния. Кремний обычно не учитывают как элемент питания, но в случае огурцов требуется достаточное количество кремния в субстрате для улучшения плотности клеточных стенок и верхней поверхности листьев. Более мощные темные листья, которые образуются при адекватном снабжении Si, могут также улучшить их фотосинтетическую способность и, вследствие этого, урожайность. По опытным данным прибавка урожая в 10% отмечена при достаточном снабжении огурца Si. По другим данным, пораженность растений мучнистой росой снизилась с 25% до 21% при внесении Si с раствором и непосредственно в субстрат.
Большинство почв и ростовых субстратов содержат более чем достаточно Si, и во многих случаях достаточное его количество вносится с водой. Для инертных субстратов могут быть проблемы, если вода содержит меньше рекомендуемого уровня 20-30 мг/л Si. Наиболее эффективный путь повышения уровней Si может быть при использовании в питательном растворе метасиликата калия. Это удобрение нельзя вносить в бак с питательным раствором, поскольку оно химически реагирует с другими удобрениями, и оно требует использования специального бака, расположенного ниже, чем первые два. Также можно использовать другие источники Si, однако их труднее удержать в растворе, и существует большая вероятность с проблемой закупорки капельниц. Еще одна сложность состоит в том, что метасиликат калия имеет сильную щелочную реакцию, и при его использовании возрастает количество потребляемой кислоты для нейтрализации раствора. Метасиликат калия также содержит калий, и это необходимо учитывать при расчете режима питания. Жидкий метасиликат калия, содержащий 9% кремния, вносят в дозе 14 л/м3 маточного (1:100) раствора, и при его использовании требуется снизить дозу калийной селитры на 15 кг и добавить примерно 20 л 60%-ной азотной кислоты в маточный раствор (не в раствор с метасиликатом) или в кислотный бак.

Вся Продукция
  • Продукция предприятия “Технология Базальта”:

Прошивные матыМаты НЛПлитыФасонные | фольг.

джерело->

Добавить комментарий

Ваше ім'я:
телефон №:
e-mail:
запит: